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パワーデバイス開発部

省エネルギーを推進する次世代のパワーデバイス材料として期待されている炭化ケイ素(SiC)において、高品質、低コスト成長技術(MPZ®*1)を用いた結晶、エピタキシャル基板の開発を推進しています。
さらに低損失、高耐圧を両立する独自構造のデバイス、モジュールの開発にも取組み、社内連携によるシステムへの展開も視野にその実用化を目指しています。

*1
MPZ: Multi-Parameter and Zone controlled SiC Growth Technology
パワーデバイス開発部

高品質SiC 結晶・エピタキシャル基板

成長時の温度、反応プロセスを精密に制御するMPZ®により、高品質、大口径の結晶開発に取り組んでいます。
結晶から切り出し、鏡面加工した基板上に、化学気相成長(CVD)法により、単結晶(エピタキシャル)層を形成します。
MPZ®を用いることで、世界トップレベルの高均一、かつ面内99%以上の領域で欠陥のないエピタキシャル基板を実現しています。製品名「EpiEra®」として販売も開始しています。
エピタキシャル基板上に、イオン注入、絶縁膜形成、電極形成などの半導体プロセスを施し、トランジスタを作製します。

SiC エピタキシャル基板上に作製されたトランジスタ
SiCエピ基板上に作製されたトランジスタ

高効率SiC パワートランジスタ・モジュール

安定性に優れた特殊な結晶面を活用した独自構造をもつ「V 溝型金属 - 酸化膜 - 半導体構造トランジスタ(VMOSFET*2)」を開発し、高効率・高耐圧・高安定性を実現しています。
1チップで200A級の大電流特性を実現し、電気自動車/ハイブリッド電気自動車(EV/HEV)などへの適用による効率向上が期待されています
SiCのもつ高速性を引き出すことのできる低インダクタンス性能をもった独自形状モジュールも開発しています。

*2
VMOSFET: V-groove Trench Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
高効率SiC パワートランジスタ・モジュール
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