ホーム > 技術開発 > 研究開発体制 > 伝送デバイス研究所

伝送デバイス研究所

化合物半導体の結晶成長技術、エピ/プロセス技術を特徴とする半導体レーザやフォトダイオードなどの光デバイス、HEMTやマイクロ波ICなどの電子デバイス、また、それらを集積したモジュールから光データリンクにいたる独自技術を有し、さらに、これらを垂直統合することにより、光と無線の2大情報通信市場に対応した最先端技術を開発し、高機能高性能製品を供給し続けています。さらに、化合物半導体結晶の高度化に関する研究開発を継続し、紫外領域、中赤外領域、高電圧領域への展開も目指しています

当社化合物半導体とその応用分野

化合物半導体は、シリコン半導体では実現できない各種応用領域にて広く利用されています。
当社はこの分野のパイオニアとして各種の材料を開発しており、より高品質、大口径の結晶成長技術や、新規デバイスの創出に向けた新材料の開発を推し進めています。

当社化合物半導体とその応用分野

製品開発と基盤技術

化合物半導体の応用分野として発光デバイス、電子デバイスがあります。それぞれの分野で独自材料技術をベースにエピ、デバイス、モジュールへ川下展開を目指した技術開発を進めています。

製品開発と基盤技術

材料設計技術

実験に依存していた従来の材料開発手法を発展させ、第一原理計算や熱流体解析等の計算技術の開発を進めています。
新材料の創出や製造プロセス開発の効率化など幅広い応用が期待されています。

材料設計技術

光素子

光通信システムの中で、電気信号⇔光信号の変換を行う半導体素子を、化合物半導体材料の高品質結晶成長技術、高精度微細加工技術、設計・信頼性保証技術など、様々な先端技術を駆使して、開発しています。

光サブアセンブリ(OSA)

当社製発光素子、受光素子、ICを搭載し、高速伝送設計技術や独自の実装技術で、小型・高機能・低消費電力を実現しています。そして、様々なシステムの要望に応えて、各種OSA製品を世界に供給し続けています。

光素子

光トランシーバ(光TRx)

光トランシーバ(光TRx)

光伝送容量の急速な拡大に対応すべく、大容量光トランシーバの標準策定と製品開発を進めています。
高周波アナログ回路、デジタル制御、機構設計等の要素技術や、光素子、OSA、IC設計などの蓄積技術を駆使し、100Gbit/s伝送(25Gbit/s/波長)の小型低消費電力化を進めるとともに、400Gbit/s伝送(50~100Gbit/s/波長)への展開を目指しています。

コヒーレントデバイス

波長多重技術を用いた、10Tbit/s級の超大容量伝送の実現のためにデジタルコヒーレント伝送技術が注目されています。
重要な構成要素となる、高出力狭線幅波長可変光源、多値変調器、コヒーレント受信器を、当社独自の化合物半導体技術を用いて開発しています。

コヒーレントデバイス

無線通信用デバイス

当社は、他社に先駆けて砒化ガリウム(GaAs)を用いたHEMT*1を開発し、無線通信の発展に寄与して来ました。
その技術を、窒化ガリウム(GaN)に適用することにより、広帯域携帯無線(LTE)基地局の小型化、 高効率化に大きく貢献して来ています。
さらに、第五世代無線通信(5G)の導入に向け、更なる高効率化と高周波化を目指しています。高周波・高出力特性を活かし、基地局間および衛星無線の通信大容量化や、様々なレーダの固体化にも展開しています。これらHEMTを集積化したMMIC*2の技術はミリ波帯の車載レーダにも採用されています。

無線通信用デバイス
*1 High Electron Mobility Transistor(高電子移動度トランジスタ)
*2 Monolithic Microwave Integrated Circuit(マイクロ波モノリシック集積回路)
*3 WiMaxは、米国WiMAX Forum の米国及びその他の国における商標または登録商標です。

超小型RGBレーザモジュール

当社がこれまで培ってきた可視レーザ技術と通信用精密実装技術を融合し、新たに光の3原色である赤(Red)、緑(Green)、青(Blue)の半導体レーザと光学部品、熱電クーラーを集積化させた、超小型RGBレーザモジュールを開発しています。

異なる基板材料を持つ3原色の半導体レーザを集積化し、熱電クーラーで効率的に温度制御することで、広い温度範囲での安定動作が可能です。
また当社独自の3原色のビーム合わせ技術により、にじみの無い高品質なビームを実現しています。

今後、ヘッドアップディスプレイ、プロジェクタ、ポインタ、イルミネーション、産業機器の分野に広く使用されることが期待されています。

超小型RGBレーザモジュール

薄膜結晶材料開発

近赤外光を用いた組成イメージングセンサや発光デバイス、次世代パワーデバイス等、新規デバイスへの応用を目的に、新しい薄膜結晶材料の開発をナノ構造の解析を行いながら進めています。

薄膜結晶材料開発

赤外センシングデバイス

赤外センシングデバイス

光通信用受光素子の要素技術を応用して、量子井戸型の赤外イメージセンサの開発を行っています。従来のセンサと比較して高感度で、微量分析や微小な温度差を画像で検知する診断システムに適しています。また、高感度なガス検知への応用を目指して中赤外量子カスケードレーザの開発も行っています。

ページの先頭へ