住友電工ホームへサイトマップお問い合わせ
製品情報会社案内プレスリリース株主・投資家情報研究開発CSR活動

プレスリリース 2014年

Home > プレスリリース > 2014年 > 2月19日

「第2回(平成25年度)技術経営・イノベーション賞 文部科学大臣賞」を受賞

2014年2月19日
住友電気工業株式会社

当社と当社100%子会社の住友電工デバイス・イノベーション株式会社は、一般社団法人科学技術と経済の会が主催する「第2回(平成25年度)技術経営・イノベーション賞」において、「文部科学大臣賞」を受賞しました。表彰式は2月18日(火)にホテルグランドパレス(東京都千代田区)にて行われました。

「技術経営・イノベーション賞」は、日本経済の発展、社会変革、競争力の向上に貢献することを目的とした日本での具体的なイノベーション活動事例を表彰する賞です。

受賞したイノベーションの概要は以下のとおりです。

 

【小型・低消費電力な携帯電話基地局の実現に向けた「高電圧動作・ 高効率窒化ガリウムトランジスタ(GaN HEMT)」の立ち上げ】

携帯電話の急激な普及、動画配信などのコンテンツの発展により、高速通信を可能とする高性能な 3G/LTE 携帯電話基地局が 2004 年頃より望まれていました。簡便な設置性や消費電力低減のため、基地局をアンテナ近くに置くRRH(Remote Radio Head) 方式が提案され、そのためには重さ20Kg・大きさ20L 以下の小型化装置が求められましたが、従来技術のシリコントランジスタでは実現は困難でした。

当社は、早くから新規化合物材料である窒化ガリウム(GaN)の物性に着目し、RRH方式での基地局用途に適した大出力・高効率なトランジスタを開発。基板も含めた品質向上も進めることで、2006年に世界初の高品質な高性能窒化ガリウムトランジスタ(GaN HEMT)の量産化に成功しました。更に、協業等によりGaN HEMTと組み合わせて使用される電源装置や歪補償器などの周辺技術の整備も進めることで顧客の新規採用を容易とし、GaN HEMTの普及を図りました。これにより、携帯電話基地局は10Kg・10L以下まで小型化され、鉄塔・ビル屋上などへの設置が加速され、携帯無線網の大容量化が実現、スマートフォン等の急激な普及を支えました。

高電圧動作・ 高効率GaN HEMT 表彰式の様子 当社 伝送デバイス研究所 所長 小林正宏(右)と文部科学省 科学技術・学術政策局 局長 川上伸昭 様(左)

以上

 

ページトップへ
(C) 2014 Sumitomo Electric Industries, Ltd.
サイトのご利用にあたって個人情報保護方針