|
当社とS.O.I. TEC Silicon On Insulator Technologies S.A. （Soitec）は、2010年12月より住友電工の高品質自立GaN基板製造技術と、Smart Cut技術で業界をリードするSoitecの半導体極薄膜の剥離・転写技術を組み合わせ、大口径自立GaN（窒化ガリウム）基板から複数枚の薄膜GaN基板を製造する技術について、共同で開発を進めてきました。
このたび、4インチ径と6インチ径の薄膜GaN基板の製造に成功し、量産に向けたパイロット製造ラインの整備を開始しました。この薄膜GaN基板は、高性能の半導体デバイスが求める低欠陥密度の特性を維持したGaN薄膜が、GaNと熱膨張係数の一致した低コスト支持基板に貼り付けられています。そのため、1枚の自立GaN基板と同等の特性を有する薄膜GaN基板を低コストで得ることができます。
照明用の高輝度LEDや、電気自動車用や電力制御用のパワーデバイスなどの幅広い市場へむけて、GaN基板の本格的な普及が始まると期待しています。
・Soitec、Smart Cut は、S.O.I.TEC Silicon On Insulator Technologies の商標または登録商標です。
|
