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当社と、フランスのS.O.I. TEC Silicon On Insulator Technologies S.A.（以下、Soitec社）は、Soitec社の所有するSmart Cut技術に関するライセンス契約を締結しました。
両社は、2010年12月以来、薄膜GaN基板の開発に関して協業してきましたが、今回の契約により当社は、Soitec社独自のSmart Cut技術の移管を受け、本技術を活用して製造した薄膜GaN基板を、高輝度発光ダイオード（LED）照明用途に販売していきます。
既に両社はこれまでの共同開発の中で、パイロット量産ラインにおいて4インチ並びに6インチの薄膜GaN基板の製造能力を確認することに成功しています。薄膜GaN基板は1枚の自立GaN基板から複数枚切り出される高品質超薄膜GaN層を、付加的な機能も有する低コスト支持基板に貼り合せて製造されます。この支持基板もまた自立GaN基板同様に、当社にて特別に本用途向けに開発されました。
今後当社は、Smart Cut技術の移管により、自ら製造ラインを新たに揃え、薄膜GaN基板の量産を進めていきます。
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