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近年、情報通信のデータ量増加により携帯電話や衛星通信といった無線用の基地局に用いられる半導体増幅素子には更なる高出力化が求められています。また、近年のゲリラ豪雨などの気象災害の予報に役立つ気象レーダーにおいても、高出力増幅素子の要求が高まっています。GaN HEMT（※1）は従来のGaAs FETに比べて高電圧動作ができ、かつ高温動作が可能で冷却部品が不要になるため増幅器の高出力化、小型化が可能となり、これら分野で急速に採用が進んでいます。当社ではこれまで携帯基地局向けとS帯（※2）レーダー向けに高出力GaN HEMTを供給し高い市場シェアを獲得してきましたが、その技術をベースにより高い周波数帯域（C帯（※3）、X帯（※4）、Ku帯（※5））で動作する内部整合型高出力GaN HEMTを開発し、この度、製品供給を開始します。
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