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一般社団法人科学技術と経済の会が主催する「第2回技術経営・イノベーション賞」において当社の「GaN HEMT※」開発が「文部科学大臣賞」を受賞しました。
本賞は、独創的な研究開発で事業化し、経済発展、社会変革などに貢献したものについて事業推進者およびそのチームを表彰するものです。
当社は、他社に先駆けて新材料GaNに着目し、従来のSi（シリコン）技術で困難だった小型・高効率なトランジスタを開発しました。さらに電源などの周辺技術も整備することにより、携帯電話基地局が小型化されて設置が容易となり、携帯無線網の大容量化が実現しました。この結果、スマートフォンなどの急激な普及を支えたことが、本賞に評価されたものです。
今後もより良い社会づくりに貢献するため、独創性を持った優れた製品の開発に継続して取り組んでいきます。
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