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伝送デバイス研究所

化合物半導体結晶、エピ/プロセス、光電子精密実装、光トランシーバー設計にいたる独自技術を垂直統合し、先進的な化合物半導体材料、光と無線の2大情報通信市場に向けた製品を開発しています。
さらに、これまで培ってきた要素技術を応用し、非通信市場への展開も目指しています。

当社化合物半導体とその応用分野

化合物半導体は、シリコン半導体では実現できない各種応用領域にて広く利用されています。
当社はこの分野のパイオニアとして各種の材料を開発しており、より高品質、大口径の結晶成長技術や、新規デバイスの創出に向けた新材料の開発を推し進めています。

* Blu-ray は、Blu-ray Disc Association の商標または登録商標です。
当社化合物半導体とその応用分野

光通信用デバイス

光通信システムの中で、電気信号⇔光信号の変換を行うデバイスの開発を行っています。
幹線系では、10Tbit/s級の超大容量伝送実現のためにデジタルコヒーレント伝送技術が適用されており、重要な構成要素となる、高出力狭線幅波長可変光源、多値変調器、コヒーレント受信器を当社独自の化合物半導体技術を用いて開発しています。
支線系やデータセンタ向けでは、光サブアセンブリ(OSA)や大容量光トランシーバの製品開発を進めています。光伝送容量の急速な拡大に対応すべく、小型低消費電力化や高速化に取り組んでいます。

光通信用デバイス

無線通信用デバイス

当社は、他社に先駆けて砒化ガリウム(GaAs)を用いたHEMT*1を開発し、無線通信の発展に寄与して来ました。その技術を、窒化ガリウム(GaN)に適用することにより、広帯域携帯無線(LTE)基地局の小型化、高効率化に大きく貢献して来ています。
さらに、第五世代無線通信(5G)の導入に向け、更なる高効率化と高周波化を目指しています。高周波・高出力特性を活かし、基地局間および衛星無線の通信大容量化や、様々なレーダの固体化にも展開しています。これらHEMTを集積化したMMIC*2の技術はミリ波帯の車載レーダにも採用されています。

*1 High Electron Mobility Transistor(高電子移動度トランジスタ)
*2 Monolithic Microwave Integrated Circuit(マイクロ波モノリシック集積回路)
*3 WiMax は、WiMAX Forum の商標または登録商標です。

超小型RGBレーザモジュール

超小型RGBレーザモジュール

当社がこれまで培ってきた可視レーザ技術と通信用精密実装技術を融合し、新たに光の3原色である赤(Red)、緑(Green)、青(Blue)の半導体レーザと光学部品、熱電クーラーを集積化させた、超小型RGBレーザモジュールを開発しています。
異なる基板材料を持つ3原色の半導体レーザを集積化し、熱電クーラーで効率的に温度制御することで、広い温度範囲での安定動作が可能です。
また当社独自の3原色のビーム合わせ技術により、高解像度の映像を実現しています。今後、ヘッドアップディスプレイ、プロジェクタ、ポインタ、イルミネーション、産業機器の分野に広く使用されることが期待されています。

赤外センシングデバイス

光通信用受光素子の要素技術を応用して、量子井戸型の赤外イメージセンサの開発を行っています。従来のセンサと比較して高感度で、微量分析や微小な温度差を画像で検知する診断システムに適しています。また、高感度なガス検知への応用を目指して中赤外量子カスケードレーザの開発も行っています。

赤外センシングデバイス
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