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事業の歴史

1956年(昭和31)半導体研究スタート(Ge、Si、その他化合物半導体)
1961年(昭和36)半導体研究室発足(InSb、GaAs)
1968年(昭和43)HB法によるGaAs単結晶成長技術を確立
1969年(昭和44)InSb単結晶引き上げに成功
研究部電子材料グループ発足
1970年(昭和45)GaAsシーディング技術の開発に成功
1972年(昭和47)GaP単結晶・他結晶の生産技術を確立
1973年(昭和48)GaAsエピタキシャルウエハ、半絶縁性GaAs開発をスタート
1974年(昭和49)InP単結晶引き上げ(LEC法)に成功
1975年(昭和50)無転位大型GaAs単結晶の開発で、科学技術長官賞受賞
1977年(昭和52)電子材料事業部内に半導体開発部発足
日軽化工よりGaAs VPEエピ技術を導入
1978年(昭和53)伊丹製作所内に最初の量産工場を竣工
1979年(昭和54)InP単結晶を量産化
1980年(昭和55)2インチLEC-GaAs単結晶の開発に成功
マイクロ波用GaAs VPEエピウエハの量産開始
1981年(昭和56)LEC-GaAs単結晶、半絶縁性InP単結晶の量産開始
半導体開発部が電子材料事業部より独立
1982年(昭和57)円形GaAs赤外用LPEウエハを開発
3インチLEC-GaAs単結晶の開発に成功
1983年(昭和58)HB法による1m長尺GaAs単結晶を開発
1984年(昭和59)半導体事業部発足
伊丹製作所内に第2の量産工場を竣工
IC用GaAs2インチ無転移結晶の開発に成功
1986年(昭和61)3インチ長尺GaAs単結晶を開発
1988年(昭和63)4インチLEC-GaAs単結晶の開発に成功
3インチInP単結晶の開発に成功
1989年(平成元)InGaAs VPEウエハの開発に成功
InPエッチドウエハの販売を開始
1990年(平成2)InP VCZ結晶の開発に成功
GaAs MBEエピウエハの量産を開始
GaAs SCウエハ、高精度ウエハの販売を開始
1992年(平成4)衛星放送用GaAs MBEエピウエハの量産を開始
1993年(平成5)InAsP赤外センサー用エピウェハの開発に成功
VB法によるGaAs単結晶の開発を開始
1994年(平成6)ISO9001認定取得
電子デバイス用InP MBEエピウエハの開発に成功
1995年(平成7)阪神淡路大震災に被災するが、短期間で復旧
1996年(平成8)半絶縁性4インチVB-GaAsウエハの量産を開始
1998年(平成10)光通信用InP OMVPEエピの量産を開始
半絶縁性6インチVB-GaAsウエハの開発に成功
1999年(平成11)半絶縁性6インチVB-GaAsウエハの量産を開始
2000年(平成12)2インチGaN基板の開発に成功
台湾SEIEM社設立
2001年(平成13)神戸にSSM社設立
米国SESMI社設立
2002年(平成14)低転位高品質2インチGaN基板の量産を開始
InP VB結晶の開発を開始
2003年(平成15)InP VB基板の量産を開始
2010年(平成22)世界で初めて、白色LED用6インチGaN基板を開発
2010年(平成22)世界で初めて、緑色レーザ用半極性面及び非極性面の2インチGaN基板の量産技術を確立
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