事業の歴史
| 1956年（昭和31） | 半導体研究スタート（Ge、Si、その他化合物半導体） |
|---|---|
| 1961年（昭和36） | 半導体研究室発足（InSb、GaAs） |
| 1968年（昭和43） | HB法によるGaAs単結晶成長技術を確立 |
| 1969年（昭和44） | InSb単結晶引き上げに成功 研究部電子材料グループ発足 |
| 1970年（昭和45） | GaAsシーディング技術の開発に成功 |
| 1972年（昭和47） | GaP単結晶・他結晶の生産技術を確立 |
| 1973年（昭和48） | GaAsエピタキシャルウエハ、半絶縁性GaAs開発をスタート |
| 1974年（昭和49） | InP単結晶引き上げ（LEC法）に成功 |
| 1975年（昭和50） | 無転位大型GaAs単結晶の開発で、科学技術長官賞受賞 |
| 1977年（昭和52） | 電子材料事業部内に半導体開発部発足 日軽化工よりGaAs VPEエピ技術を導入 |
| 1978年（昭和53） | 伊丹製作所内に最初の量産工場を竣工 |
| 1979年（昭和54） | InP単結晶を量産化 |
| 1980年（昭和55） | 2インチLEC-GaAs単結晶の開発に成功 マイクロ波用GaAs VPEエピウエハの量産開始 |
| 1981年（昭和56） | LEC-GaAs単結晶、半絶縁性InP単結晶の量産開始 半導体開発部が電子材料事業部より独立 |
| 1982年（昭和57） | 円形GaAs赤外用LPEウエハを開発 3インチLEC-GaAs単結晶の開発に成功 |
| 1983年（昭和58） | HB法による１ｍ長尺GaAs単結晶を開発 |
| 1984年（昭和59） | 半導体事業部発足 伊丹製作所内に第2の量産工場を竣工 IC用GaAs2インチ無転移結晶の開発に成功 |
| 1986年（昭和61） | 3インチ長尺GaAs単結晶を開発 |
| 1988年（昭和63） | 4インチLEC-GaAs単結晶の開発に成功 3インチInP単結晶の開発に成功 |
| 1989年（平成元） | InGaAs VPEウエハの開発に成功 InPエッチドウエハの販売を開始 |
| 1990年（平成2） | InP VCZ結晶の開発に成功 GaAs MBEエピウエハの量産を開始 GaAs SCウエハ、高精度ウエハの販売を開始 |
| 1992年（平成4） | 衛星放送用GaAs MBEエピウエハの量産を開始 |
| 1993年（平成5） | InAsP赤外センサー用エピウェハの開発に成功 VB法によるGaAs単結晶の開発を開始 |
| 1994年（平成6） | ISO9001認定取得 電子デバイス用InP MBEエピウエハの開発に成功 |
| 1995年（平成7） | 阪神淡路大震災に被災するが、短期間で復旧 |
| 1996年（平成8） | 半絶縁性4インチVB-GaAsウエハの量産を開始 |
| 1998年（平成10） | 光通信用InP OMVPEエピの量産を開始 半絶縁性6インチVB-GaAsウエハの開発に成功 |
| 1999年（平成11） | 半絶縁性6インチVB-GaAsウエハの量産を開始 |
| 2000年（平成12） | 2インチGaN基板の開発に成功 台湾SEIEM社設立 |
| 2001年（平成13） | 神戸にSSM社設立 米国SESMI社設立 |
| 2002年（平成14） | 低転位高品質2インチGaN基板の量産を開始 InP VB結晶の開発を開始 |
| 2003年（平成15） | InP VB基板の量産を開始 |
| 2010年（平成22） | 世界で初めて、白色LED用6インチGaN基板を開発 |
| 2010年（平成22） | 世界で初めて、緑色レーザ用半極性面及び非極性面の2インチGaN基板の量産技術を確立 |