学会発表
| 日時 | 学会名・投稿先 | 報告者 | 題名・内容 |
|---|---|---|---|
| '03/11/06 | 4th International Workshop on Modeling in Crystal Growth | T. Kawase M. Tatsumi M. Fukuzawa M. Yamada |
Thermal stress effect on residual strain profiles in GaAs substrates Grown by LEC and VB techniques |
| '03/09/30 | 10th International Conference on Defects Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors |
T. Kawase M. Tatsumi M. Fukuzawa M. Yamada |
Comparative study on residual strain profiles in GaAs substrates grown by LEC and VB techniques |
| '03/09/29 | 10th International Conference on Defects Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors |
M. Kiyama M. Yamada M. Tatsumi |
Quantitative analysis of low-frequency current oscillation in semi-insulating GaAs |
| '03/5/12-16 | 15th IPRM, Santa Barbara | T.Iwasaki S.Sawada K.Ooki H.Kimura Y.Miura M.Yokogawa |
Correlation between Graded InAsP Layer and Photoluminescence Intensity for 2200nm CUTOFF In0.72Ga0.28As Grown By Chloride VPE. |
| '03/5/12-16 | 15th IPRM, Santa Barbara | K. Hashio N. Hosaka S. Fujiwara T. Sakurada R. Nakai N. Hara* Y. Tsusaka* J. Matsui* *Himeji Institute of Technology |
4-inch Fe-doped InP substrates manufactured using Vertical Boat Technique. |
| '02/10/20-23 | GaAs IC Symposium | T. Kawase N. Hosaka K. Hashio M. Matsushima T. Sakurada R. Nakai |
Improvement of microscopic and macroscopic uniformity in 4-inch InP substrate for IC application by Vertical Boat Growth. |
| '02/5/12-16 | 14th IPRM, Stockholm | H. Doi H. Kimura T. Iwasaki Y. Miura M. Yokogawa |
Highly uniformity 4-inch diameter InGaAs/InP epitaxial wafer for PIN-PD application. |
| '01/8/01 | ICCG-13(invited) | 元木 健作 他 | Growth and Characterization of Freestanding GaN Substrates |
| '01/6/01 | E-MRS（invited） | 元木 健作 他 | Preparation of Large GaN Substrates GaAs基板上にＧａＮ成長後、基板剥離するプロセスでＧａＮ基板作成。新しい転位の低減メカニズムを提案。 |
| '01/5/24 | 2001 GaAsMANTECH | 羽木 良明 | 「Manufacturing 6" GaAs substrates by the VB method」 「直接・間接製造原価の効率良い低減」（Cost-Effective-Manufacturing）を念頭に置いて、GaAs６インチの量産化技術の開発に取り組んだ。成功のポイントは、田口メソッドを活用してのVB炉の構造最適化による長尺結晶の開発と、枚葉研磨の選択と田口メソッドを活用した効率的な開発、２つの技術開発により、大幅なコスト低減と、品質の向上を達成した。 |
| '01/5/17 | 半導体産業新聞セミナー | 横川 正道 | 光通信時代に応える化合物半導体材料技術ＩｎＰ基板・エピ全般、ポンプレーザ用ＧａＡｓ基板も含む |
| '01/5/16 | 13th IPRM | 櫻田 隆 | 「Novel RTA Technique for Large diameter GaAs Wafers Managing to Minimize Both Dopant Diffusion and Slip Formation」 GaAs基板のスリップ発生とドーパントの拡散を抑制するRTAシーケンスの設計方法について |
| '01/5/16 | 13th IPRM | 沢田 滋 | 「Investigation of InP epitaxial films on GaAs Substrate grown by Chloride Vapor Phase Epitaxy」 |
| '01/5/10 | 応用物理,70,554～558 | 武部 敏彦 | ZnSe系白色発光ダイオード白色LEDの解説記事。白色LEDの原理と特性を詳述 |
| '01/5 | 2001年度IPRM | 沢田 真一 | 「Market and Technology Trend of InP Substrate」 最近の光通信市場の動向と大口径VCZ-InP基板の技術動向について報告。 |
| '01/3/23 | 半導体産業新聞セミナー | 横川 正道 | 光通信時代を支える化合物半導体材料ＩｎＰ基板・エピ全般、ポンプレーザ用ＧａＡｓ基板も含む |
| '01/3 | 電子ﾃﾞﾊﾞｲｽ研究会 | 中井 龍資 沢田 真一 |
最近の化合物半導体基板技術動向最近の基板技術動向とともに、VB-GaAs、VCZ-InP、GaN基板の特長を論述。 |
| '01/3/01 | 応用物理学会 | 中畑 成二 他 | 「大口径ＧａＮ基板の試作II－転位挙動観察転位の挙動のＴＥＭ観察」 |
| '01/3/01 | 応用物理学会 | 元木 健作 他 | 「大口径ＧａＮ基板の試作 I－成長と基板特性ＧａＮ作成プロセスと評価」 |
| '01/2 | JJAP | 元木 健作 他 | 「Preparation of Large Freestanding GaN Substrates by Hydride Vapor Phase EpitaxyGaAs(111) A基板上にＨＶＰＥにて厚膜成長した後、ＧａＡｓ除去後、研磨し、ＧａＮ基板化。基板評価。 |
| '00/12/18 | 日本金属学会東北支部談話会 | 並川 靖生 | PVT成長ZnSe基板へのAl拡散と白色LEDへの応用擬開管PVT法によるZnSe単結晶成長と基板へのAl拡散熱処理。その基板を用いた白色LEDの特長と特性。 |
| '00/12/01 | OPTRONICS,2000-12号,126～131 | 中村 孝夫 | ZnSe系白色LEDとその応用白色LEDの原理、特性、応用について |
| '00/11 | 電子材料 | 沢田 真一 田中 聡 上田 登志雄 中井 龍資 |
GaAs系基板材料の最新技術動向VB-GaAs基板とOMVPE基板について概説。 |
| '00/11/01 | J. Crystal Growth | 藤原 伸介 他 | 「Growth of Dislocation-Free ZnSe Single Crystal by CVT Method」 ＣＶＴ法によるＺｎＳｅ単結晶において長尺化による無転位化 |
| '00/8/31 | CGCT-1 | 並川 靖生 | 「Al diffused conductive ZnSe substrates grown by physical vapor tranport method」 擬開管PVT法によるZnSe単結晶成長とAl拡散熱処理。28mm×20mmの(100)基板で、転位密度＜1E4cm-2、X線ロッキングカーブFWHM＜10arcsec、キャリア密度＞5E17cm-3。 |
| '00/7/01 | 日本結晶成長学会誌 | 藤原 伸介 | 総合報告Ⅱ－Ⅵ族化合物半導体材料の最新動向 （１）気相成長法によるＺｎＳｅバルク結晶の成長ＰＶＴ法、ＣＶＴ法によるＺｎＳｅ単結晶成長の最近の動向 |
| '00/3/01 | 応用物理学会 | 木山 誠 田島 道夫 野地 真樹 吉田 浩章 |
VB およびLEC-GaAsウェハーにおける熱処理効果の比較成長後熱処理による比抵抗とPL特性のミクロ分布。VB結晶がLEC結晶よりもより均一化することが判明。 |
| '00/01/01 | SEI TECHNICAL REVIEW | 松原 秀樹 | 「Development of Homo-epitaxial ZnSe based White Light Emitting Diode」（上記の英語版） |
| '99/11/01 | 9th Intnational Conference on II-VI Compounds | 片山 浩二 | 「ZnSe-based White LEDs」 当社ZnSe系白色LEDの基本原理、素子特性などについて紹介した。 |
| '99/9/3 | 応用物理学会 | 松原 秀樹 | ZnSe系ホモエピ白色発光ダイオードの開発白色LEDの初の招待講演（応物シンポジウム）。白色LEDの開発経緯、原理、現状の特性を紹介 |
| '99/9 | SEIﾃｸﾆｶﾙﾚﾋﾞｭ- | 沢田 真一 | 「６インチ径VB-GaAsウェハの開発」 ＶＢ法により大口径６インチの高品質GaAs単結晶の開発に成功した。 |
| '99/9/01 | J. Cryst. Growth,210(200)212 | 木山 誠 向 秀和 吉田 浩章 櫻田 隆 中井 龍資 |
「Laser scattering defects in MBE-grown GaAs epitaxial layers related to dislocations in semi-insulating substrates」 GaAsエピ中のミクロ散乱体を調査。基板から引き継いだ転位近傍に存在すること、転位の少ない基板（ＶB）上のエピは散乱体が少なく、パワーデバイス用の基板として優れていることを考察。 |
| '99/9/01 | DRIP-VIII | 木山 誠 向 秀和 吉田 浩章 櫻田 隆 中井 龍資 |
同上 |
| '99/9/01 | SEIテクニカルレビュー | 松原 秀樹 | ZnSeホモエピタキシャル白色LEDの開発白色LEDの初の解説記事。白色LEDの原理と特性を詳述 |
| '99/8/01 | J. Crystal Growth | 藤原 伸介 他 | 「Growth of 1-inch diameter ZnSe single crystal by the Rotational CVT method」 回転ＣＶＴ法によるＺｎＳｅ単結晶成長 |
| '99/6/01 | 電子通信情報学会誌 | 南口 哲司 | ZnSe系白色発光ダイオードの開発白色LEDの初の論文誌掲載（ニュース記事）。白色発光原理の紹介。 |
| '99/3/30 | 応用物理学会 | 松原 秀樹 | 蛍光剤フリーZnSe系白色LEDの開発白色LEDの初の学会発表。白色LEDの原理、現状の特性を紹介 |
| '99/3/28 | 応用物理学会 | 並川 靖生 | PVT法によるZnSe結晶成長とAl拡散による低抵抗化擬開管PVT法によるZnSe単結晶成長とAl拡散熱処理。結晶サイズ径30mm×28mm長、転位密度1～5E4cm-2、キャリア密度5E17cm-3。 |
| '99/3/01 | 応用物理学会 | 藤原 伸介 他 | 「回転ＣＶＴ法によるＺｎＳｅ単結晶成長（２）回転ＣＶＴ法によるＺｎＳｅ単結晶成長」 |
| '99/1/01 | J. Crystal Growth | 藤原 伸介 他 |
「Growth of ZnSe single crystal by CVT method with self-moving convection shield」 隔壁ＣＶＴ法によるＺｎＳｅ単結晶成長 |
| 宇宙研との共著 | JJAP,39(2000)2585 | 木山 誠 田島 道夫 野地 真樹 |
「Characterization of Interfaces in GaAs Epitaxial Wafer by Spatially Resolved Photoluminescence from Cleaved Face」 エピ/基板界面の評価技術。ヘキカイ断面のミクロPLプロファイル評価。 |