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学会発表

日時 学会名・投稿先 報告者 題名・内容
'03/11/06 4th International Workshop on Modeling in Crystal Growth T. Kawase
M. Tatsumi
M. Fukuzawa
M. Yamada
Thermal stress effect on residual strain profiles in GaAs substrates Grown by LEC and VB techniques
'03/09/30 10th International Conference on Defects Recognition,
Imaging and Physics in Semiconductors
T. Kawase
M. Tatsumi
M. Fukuzawa
M. Yamada
Comparative study on residual strain profiles in GaAs substrates
grown by LEC and VB techniques
'03/09/29 10th International Conference on Defects Recognition,
Imaging and Physics in Semiconductors
M. Kiyama
M. Yamada
M. Tatsumi
Quantitative analysis of low-frequency current oscillation
in semi-insulating GaAs
'03/5/12-16 15th IPRM, Santa Barbara T.Iwasaki
S.Sawada
K.Ooki
H.Kimura
Y.Miura
M.Yokogawa
Correlation between Graded InAsP Layer and Photoluminescence Intensity
for 2200nm CUTOFF In0.72Ga0.28As Grown By Chloride VPE.
'03/5/12-16 15th IPRM, Santa Barbara K. Hashio
N. Hosaka
S. Fujiwara
T. Sakurada
R. Nakai
N. Hara*
Y. Tsusaka*
J. Matsui*

*Himeji Institute of Technology
4-inch Fe-doped InP substrates manufactured using Vertical Boat
Technique.
'02/10/20-23 GaAs IC Symposium T. Kawase
N. Hosaka
K. Hashio
M. Matsushima
T. Sakurada
R. Nakai
Improvement of microscopic and macroscopic uniformity in 4-inch InP
substrate for IC application by Vertical Boat Growth.
'02/5/12-16 14th IPRM, Stockholm H. Doi
H. Kimura
T. Iwasaki
Y. Miura
M. Yokogawa
Highly uniformity 4-inch diameter InGaAs/InP epitaxial wafer for PIN-PD
application.
'01/8/01 ICCG-13(invited) 元木 健作 他 Growth and Characterization of Freestanding GaN Substrates
'01/6/01 E-MRS(invited) 元木 健作 他 Preparation of Large GaN Substrates
GaAs基板上にGaN成長後、基板剥離するプロセスでGaN基板作成。新しい転位の低減メカニズムを提案。
'01/5/24 2001 GaAsMANTECH 羽木 良明 「Manufacturing 6" GaAs substrates by the VB method」
「直接・間接製造原価の効率良い低減」(Cost-Effective-Manufacturing)を念頭に置いて、GaAs6インチの量産化技術の開発に取り組んだ。成功のポイントは、田口メソッドを活用してのVB炉の構造最適化による長尺結晶の開発と、枚葉研磨の選択と田口メソッドを活用した効率的な開発、2つの技術開発により、大幅なコスト低減と、品質の向上を達成した。
'01/5/17 半導体産業新聞セミナー 横川 正道 光通信時代に応える化合物半導体材料技術InP基板・エピ全般、ポンプレーザ用GaAs基板も含む
'01/5/16 13th IPRM 櫻田 隆 「Novel RTA Technique for Large diameter GaAs Wafers Managing to Minimize Both Dopant Diffusion and Slip Formation」
GaAs基板のスリップ発生とドーパントの拡散を抑制するRTAシーケンスの設計方法について
'01/5/16 13th IPRM 沢田 滋 「Investigation of InP epitaxial films on GaAs Substrate grown by Chloride Vapor Phase Epitaxy」
'01/5/10 応用物理,70,554~558 武部 敏彦 ZnSe系白色発光ダイオード白色LEDの解説記事。白色LEDの原理と特性を詳述
'01/5 2001年度IPRM 沢田 真一 「Market and Technology Trend of InP Substrate」
最近の光通信市場の動向と大口径VCZ-InP基板の技術動向について報告。
'01/3/23 半導体産業新聞セミナー 横川 正道 光通信時代を支える化合物半導体材料InP基板・エピ全般、ポンプレーザ用GaAs基板も含む
'01/3 電子デバイス研究会 中井 龍資
沢田 真一
最近の化合物半導体基板技術動向最近の基板技術動向とともに、VB-GaAs、VCZ-InP、GaN基板の特長を論述。
'01/3/01 応用物理学会 中畑 成二 他 「大口径GaN基板の試作II-転位挙動観察転位の挙動のTEM観察」
'01/3/01 応用物理学会 元木 健作 他 「大口径GaN基板の試作 I-成長と基板特性GaN作成プロセスと評価」
'01/2 JJAP 元木 健作 他 「Preparation of Large Freestanding GaN Substrates by Hydride Vapor Phase EpitaxyGaAs(111)
A基板上にHVPEにて厚膜成長した後、GaAs除去後、研磨し、GaN基板化。基板評価。
'00/12/18 日本金属学会東北支部談話会 並川 靖生 PVT成長ZnSe基板へのAl拡散と白色LEDへの応用擬開管PVT法によるZnSe単結晶成長と基板へのAl拡散熱処理。その基板を用いた白色LEDの特長と特性。
'00/12/01 OPTRONICS,2000-12号,126~131 中村 孝夫 ZnSe系白色LEDとその応用白色LEDの原理、特性、応用について
'00/11 電子材料 沢田 真一
田中 聡
上田 登志雄
中井 龍資
GaAs系基板材料の最新技術動向VB-GaAs基板とOMVPE基板について概説。
'00/11/01 J. Crystal Growth 藤原 伸介 他 「Growth of Dislocation-Free ZnSe Single Crystal by CVT Method」
CVT法によるZnSe単結晶において長尺化による無転位化
'00/8/31 CGCT-1 並川 靖生 「Al diffused conductive ZnSe substrates grown by physical vapor tranport method」
擬開管PVT法によるZnSe単結晶成長とAl拡散熱処理。28mm×20mmの(100)基板で、転位密度<1E4cm-2、X線ロッキングカーブFWHM<10arcsec、キャリア密度>5E17cm-3。
'00/7/01 日本結晶成長学会誌 藤原 伸介  総合報告Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体材料の最新動向 (1)気相成長法によるZnSeバルク結晶の成長PVT法、CVT法によるZnSe単結晶成長の最近の動向
'00/3/01 応用物理学会 木山 誠
田島 道夫
野地 真樹
吉田 浩章
VB およびLEC-GaAsウェハーにおける熱処理効果の比較成長後熱処理による比抵抗とPL特性のミクロ分布。VB結晶がLEC結晶よりもより均一化することが判明。
'00/01/01 SEI TECHNICAL REVIEW 松原 秀樹 「Development of Homo-epitaxial ZnSe based White Light Emitting Diode」(上記の英語版)
'99/11/01 9th Intnational Conference on II-VI Compounds 片山 浩二 「ZnSe-based White LEDs」
当社ZnSe系白色LEDの基本原理、素子特性などについて紹介した。
'99/9/3 応用物理学会 松原 秀樹 ZnSe系ホモエピ白色発光ダイオードの開発白色LEDの初の招待講演(応物シンポジウム)。白色LEDの開発経緯、原理、現状の特性を紹介
'99/9 SEIテクニカルレビュ- 沢田 真一 「6インチ径VB-GaAsウェハの開発」
VB法により大口径6インチの高品質GaAs単結晶の開発に成功した。
'99/9/01 J. Cryst. Growth,210(200)212 木山 誠
向   秀和
吉田 浩章
櫻田 隆
中井 龍資
「Laser scattering defects in MBE-grown GaAs epitaxial layers related to dislocations in semi-insulating substrates」
GaAsエピ中のミクロ散乱体を調査。基板から引き継いだ転位近傍に存在すること、転位の少ない基板(VB)上のエピは散乱体が少なく、パワーデバイス用の基板として優れていることを考察。
'99/9/01 DRIP-VIII 木山 誠
向   秀和
吉田 浩章
櫻田 隆
中井 龍資
同上
'99/9/01 SEIテクニカルレビュー 松原 秀樹 ZnSeホモエピタキシャル白色LEDの開発白色LEDの初の解説記事。白色LEDの原理と特性を詳述
'99/8/01 J. Crystal Growth 藤原 伸介 他 「Growth of 1-inch diameter ZnSe single crystal by the Rotational CVT method」
回転CVT法によるZnSe単結晶成長
'99/6/01 電子通信情報学会誌 南口 哲司 ZnSe系白色発光ダイオードの開発白色LEDの初の論文誌掲載(ニュース記事)。白色発光原理の紹介。
'99/3/30 応用物理学会 松原 秀樹  蛍光剤フリーZnSe系白色LEDの開発白色LEDの初の学会発表。白色LEDの原理、現状の特性を紹介
'99/3/28 応用物理学会 並川 靖生 PVT法によるZnSe結晶成長とAl拡散による低抵抗化擬開管PVT法によるZnSe単結晶成長とAl拡散熱処理。結晶サイズ径30mm×28mm長、転位密度1~5E4cm-2、キャリア密度5E17cm-3。
'99/3/01 応用物理学会 藤原 伸介 他 「回転CVT法によるZnSe単結晶成長(2)回転CVT法によるZnSe単結晶成長」
'99/1/01 J. Crystal Growth 藤原 伸介 他

「Growth of ZnSe single crystal by CVT method with self-moving convection shield」
隔壁CVT法によるZnSe単結晶成長
宇宙研との共著 JJAP,39(2000)2585 木山 誠
田島 道夫
野地 真樹
「Characterization of Interfaces in GaAs Epitaxial Wafer by Spatially Resolved Photoluminescence from Cleaved Face」
エピ/基板界面の評価技術。ヘキカイ断面のミクロPLプロファイル評価。
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