プレスリリース
「半導体・オブ・ザ・イヤー2018」でグランプリを受賞
2018年6月 6日
住友電気工業株式会社
住友電気工業株式会社（本社：大阪市中央区、社長：井上 治、以下 当社）のSiCパワーデバイス用エピタキシャル基板 「EpiEra®」が、電子デバイス産業新聞の主催する「半導体・オブ・ザ・イヤー2018」の半導体用電子材料部門で、グランプリを受賞しました
同賞は、最先端のIT機器・産業を支える半導体製品・技術を表彰し、業界の技術および市場のさらなる発展に寄与することを目的として、1994年に創設されました。
今回は、2017年4月～2018年3月の間に発表された新製品・技術、および同紙で紹介された新製品の中から、同紙記者の推薦・自由応募を含めて候補製品・技術を選出し、厳正に審査されました。
パワーデバイスは電力制御を目的とした半導体デバイスで、電力、鉄道、自動車、家電などの様々な分野で使われており、その中でもSiC（炭化ケイ素）は、パワーデバイスの低損失・高効率・小型化を可能にする点で、最も注目されている材料のひとつです。
当社はSiCパワーデバイスの基盤材料であり、その性能・信頼性に大きく影響を与えるSiCエピタキシャル基板の開発を進めてきました。
このたび、グランプリを獲得した当社の「EpiEra®」は、当社が長年培ってきた化合物半導体の技術に加えて、高精度シミュレーションなどを取り入れた当社独自技術の 「MPZ®*1」 を活用することで、表面欠陥*2や基底面転位*3が存在しない領域の面積率（DFA率*4）が99%以上を達成した点を評価され、今回の受賞に至りました。
当社はこれからも、高効率でエネルギーロスの少ないパワーデバイス製品の開発を進め、パワーエレクトロニクス産業の発展に貢献してまいります。
*1 MPZ (Multi-Parameter and Zone controlled SiC Growth Technology):
SiC成長過程に応じてシミュレーションも活用し、温度や圧力などの種々のパラメータを高精度に制御する当社独自のSiC成長技術。
*2 表面欠陥:
エピタキシャル層の表面に現れる結晶欠陥で、デバイスの歩留りに影響を与える。
*3 基底面転位:
SiC単結晶の基底面に発生する転位で、製品の信頼性に影響を与える。
*4 DFA率:
表面欠陥や基底面転位が存在しない領域（Defect Free Area）の面積率。
以上
